内存时序是一组值,用于定义内存模块响应命令的速度,影响其处理任务的效率。虽然大多数人在讨论性能时倾向于关注内存模块的速度,例如 1600MHz 的 DDR3、2400MHz 的 DDR4 或 4800MHz 的 DDR5 (MT/s),但时序在确定内存响应请求和执行操作的速度方面发挥着至关重要的作用。 1600MHz, DDR4
当我们查看内存的时序时,它们通常以数字格式显示;9-9-9-24 是通用 DDR3 内存时序的一个示例。下表显示了不同类型的 DDR 内存的一些标准时序。
类型 | CL | tRCD | tRP | tRAS |
|---|---|---|---|---|
DDR2 | 5 | 5 | 5 | 15 |
DDR3 | 9 | 9 | 9 | 24 |
DDR4 | 16 | 16 | 16 | 不适用 |
DDR5 | 36 | 36 | 36 | 不适用 |
时间通常分为四个值:
CAS 延迟 (CL):这是内存模块根据内存控制器的要求准备好数据所需的时间
行列延迟 (tRCD):内存准备就绪后读取内存所需的时间
行预充电时间 (tRP):内存准备使用数据所需的新行所需的时间
行活动时间 (tRAS):行进入活动状态所需的最少时间,以确保可从行访问数据
如果您注意到上表缺少 DDR4 和 DDR5 的 tRAS 值,这是因为 tRAS 值不再相关,因为它已合并为采用更新内存技术的另一个数字。
内存最广为人知的时序是 CAS(列地址选通)延迟,因为该值通常是性能的代名词。然而,这个数字有时可能会产生误导。
大多数人认为较低的 CAS 延迟会自动更好,因为这个值是内存快速响应新信息的能力。虽然较新的内存类型通常比上一代内存的 CAS 延迟时间要长得多,但这并不完全准确。
那么,为什么新内存类型的延迟时间要慢呢? 除了不同的时间外,还有一个属性叫做时钟周期时间。这是一个衡量指标,反映了内存可以多快准备好处理一组新的命令。DDR5 等新内存类型的时钟周期时间显著快于旧代。
如下图所示,这实际上意味着真实延迟(实际速度)要快得多。如果您想详细了解速度与延迟,请查看 RAM 速度与 CAS 延迟之间的区别。
CL | tRCD | tRP | tRAS |
|---|---|---|---|
这是内存模块根据内存控制器的要求准备好数据所需的时间 | 内存准备就绪后读取内存所需的时间 | 内存准备使用数据所需的新行所需的时间 | 行进入活动状态所需的最少时间,以确保可从行访问数据 |
技术 | 模块速度 (MT/s) | 时钟周期时间 (ns) | CAS 延迟 (CL) | 真实延迟 (ns) |
|---|---|---|---|---|
DDR2 | 667 | 3.00 | 5 | 14.99 |
DDR2 | 800 | 2.50 | 6 | 15.00 |
DDR3 | 1333 | 1.50 | 9 | 13.50 |
DDR3 | 1600 | 1.25 | 11 | 13.75 |
DDR4 | 1866 | 1.07 | 13 | 13.93 |
DDR4 | 2133 | 0.94 | 15 | 14.06 |
DDR4 | 2400 | 0.83 | 17 | 14.17 |
DDR4 | 2666 | 0.75 | 18 | 13.50 |
DDR5 | 4800 | 0.41 | 34 | 14.17 |
DDR5 | 6400 | 0.31 | 40 | 12.50 |
超频是指通过提高 CPU 和 RAM 等内部器件的时钟速度来提高计算机的速度和性能,从而提高器件的最大运行速度。
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